Pencirian Elektrik Dan Bahan Bagi Peranti CMOS 0.18 Mikron

Hanim, Abdul Razak (2005) Pencirian Elektrik Dan Bahan Bagi Peranti CMOS 0.18 Mikron. Masters thesis, UKM.

[img] PDF (24 Pages)
Pencirian_Elektrik_Dan_Bahan_Bagi_Peranti_CMOS_018_Mikron_Hanim_bt_Abdul_Razak.pdf - Submitted Version
Restricted to Registered users only

Download (3MB)

Abstract

Pencirian elektrik dan bahan bagi peranti CMOS 0.18 mikron dijalankan dalam projek ini. Bagi pencirian elektrik, Sistem Pencirian Semikonduktor Keithley 4200-SCS yang diintegrasikan dengan perisian Ujian Persekitaran-Interaktif (KTED v5.0 telah digunapakai. Manakala Fokus Alur Ion (FIB), Mikroskopi Pengimbas Elektron (SEM) dan Peleraian Tenaga Sinar-X (EDX) pula digunakan untuk pencirian bahan. Datadata telah diambil untuk memerbatikan sifat keluaran atau bubungan I 0-V 0 melalui pemplotan graf kedua-dua transistor NMOS dan PMOS. Voltan ambang, VT juga dikirakan menerusi nilai-nilai yang diperolehi dari pemplotan graf Io-VG· Untuk pencirian bahan, panjang get, La dan teknik pengasingan yang digunakan telab dikenalpasti. Selain itu, komposisi bahan pada lokasi-lokasi tertentu peranti juga dikenalpasti. Sifat keluaran peranti didapati menepati piawai. Manakala nilai purata VT NMOS ialab 0.39549V dan-0.70362V untuk PMOS. Panjang get NMOS didapati sepanjang 0.167 mikron dan 0.172 mikron untuk PMOS. Teknik Pengasingan Berparit Cetek (STD dikenalpasti sebagai teknik yang digunakan untuk kedua-dua transistor. Tungsten terdapat pada babagian sentuhan salir dan sumber sebanyak 13.284%. Sebanyak 13.374% Aluminium terdapat pada babagian pengantara sambungan dan sentuban. Medan oksida tebal pula terdiri daripada oksigen sebanyak 52.206%. Silikon didapati sebanyak 64.514% pada babagian terminal get. Babagian sambungan pula terdiri daripada Aluminium sebanyak 32.542%. Secara keseluruhan, CMOS 0.18 mikron ini telab difabrikasi dengan baik dan boleb beroperasi secara normal.

Item Type: Thesis (Masters)
Uncontrolled Keywords: Semiconductors
Subjects: T Technology > T Technology (General)
T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
Divisions: Library > Tesis > FKEKK
Depositing User: Siti Syahirah Ab Rahim
Date Deposited: 08 Jul 2014 02:32
Last Modified: 28 May 2015 04:27
URI: http://eprints.utem.edu.my/id/eprint/12856
Statistic Details: View Download Statistic

Actions (login required)

View Item View Item