Simulasi Bagi Pembentukan Simpangan Cetek Menggunakan Resapan Dopan Daripada SOD (Spin On Dopant)

Fauziyah, Salehuddin (2003) Simulasi Bagi Pembentukan Simpangan Cetek Menggunakan Resapan Dopan Daripada SOD (Spin On Dopant). Masters thesis, Universiti Kebangsaan Malaysia.

[img] PDF (24 Pages)
Simulasi_Bagi_Pembentukan_Simpangan_Cetek_Menggunakan_Resapan_Dopan_Daripada_SOD_(Spin_On_Dopant).pdf - Submitted Version
Restricted to Registered users only

Download (1MB)

Abstract

Tesis ini adalah berkenaan dengan kajian tentang pembentukan simpang cetek p-n melalui resapan dopan daripada Spin -On Glass (SOG) bagi peranti sub-mikron dalam teknologi ULSI dimasa hadapan. Dengan kelebihannya yang tiada 'transient enhanced diffusion' (TED) dan tiada pencemaran logam, resapan SOG yang didopkan tinggi (dikenali juga sebagai 'spin-on dopant'-SOD) merupakan teknologi yang baik bagi pembentukan simpang cetek p-n Di dalam tesis ini, resapan bendasing daripada SOD ke dalam silikon dan polisilikon ke atas struktur silikon telah dikaji. Pembentukan simpang cetek menggunakan struktur polisilikon/Si mempunyai kelebihan iaitu rintangan helaian yang rendah jika dibandingkan dengan simpang silikon biasa. Resapan boron dan fosforus ke dalam silikon daripada punca resapan SOD telah diselidiki dengan menggunakan resapan relau lazim dan terma pantas. Proses resapan daripada SOD telah disimulasikan sebagai resapan daripada sumber oksida yang terdop menggunakan model resapan keseimbangan Kemeresapan boron dalam SOD didapati lebih cepat daripada oksida biasa dan ianya lebih perlahan dalam silikon. Diod telah direalisasikan bagi mengetahui ciri-ciri voltan arus simpang tersebut. Proses pembentukan diod simpangan cetek ini dijalankan secara simulasi menggunakan satu perisian yang dikeluarkan oleh syarikat Silvaco.Inc. iaitu Virtual Wafer Fabrication (VWF) Silvaco TCAD Tools. Paparan peranti ditunjukkan dalam gambarajah dua dimensi. Keputusan daripada proses simulasi mendapati simpangan cetek P+N menunjukkan pencapaian yang baik dari segi kedalaman simpang iaitu 40nm dengan menggunakan resapan terma pantas B150 ke dalam silikon serta mempunyai ciri-ciri diod yang baik dengan ketumpatan arus bocor yang rendah iaitu 0.5 nA/cm2. Simpangan cetek yang kurang dari 20 nm juga dicapai tetapi kualiti diod terjejas akibat permukaan arus hocor yang tinggi. Resapan fosforus daripada sumber P8545 ke dalam Si dalam relau lazim juga dilakukan. Kedalaman simpang resapan relau dan rintangan helaian bagi setiap sampel pada suhu dan masa resapan yang berbeza ada dit_unjukkan.

Item Type: Thesis (Masters)
Uncontrolled Keywords: Semiconductors
Subjects: T Technology > T Technology (General)
T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
Divisions: Library > Tesis > FKEKK
Depositing User: Nor Aini Md. Jali
Date Deposited: 05 Sep 2014 11:26
Last Modified: 28 May 2015 04:28
URI: http://eprints.utem.edu.my/id/eprint/12950
Statistic Details: View Download Statistic

Actions (login required)

View Item View Item